HBF와 zNAND-O 정리: HBM 다음 AI 메모리를 두고 갈린 SK하이닉스·삼성전자의 두 전략
SK하이닉스·샌디스크의 HBF는 낸드를 쌓아 스택당 512GB를 제시했고, 삼성은 낸드와 NPU를 한 패키지로 묶은 zNAND-O를 내놨다. HBM 다음 메모리 계층을 둘러싼 두 전략과 남은 과제를 정리했다.
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SK하이닉스·샌디스크의 HBF는 낸드를 쌓아 스택당 512GB를 제시했고, 삼성은 낸드와 NPU를 한 패키지로 묶은 zNAND-O를 내놨다. HBM 다음 메모리 계층을 둘러싼 두 전략과 남은 과제를 정리했다.
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HBM4 가격은 제조 원가만으로 정해지지 않는다. 같은 웨이퍼로 만들 수 있었던 서버용 DDR5의 값어치, 12단 적층 수율, 2048비트 인터페이스와 로직 베이스 다이까지 함께 계산해야 하는 이유를 짚었다.
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HBM4부터 성능을 가르는 것은 위에 쌓는 D램이 아니라 맨 아래 베이스 다이다. 인터페이스 폭이 2048비트로 늘며 커진 전력·타이밍 부담, 삼성이 4나노 로직 공정을 쓴 이유, SK하이닉스가 TSMC와 손잡은 배경을 정리했다.
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