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스마트폰 칩 발열 해결법, 삼성 엑시노스와 화웨이 로직 폴딩 비교

삼성 엑시노스는 AP 위 메모리를 떼어 열 길을 넓히고, 화웨이는 회로를 위아래로 접어 배선을 줄인다. 스마트폰 칩 발열과 성능 유지의 진짜 쟁점을 정리했다.

삼성은 메모리를 떼고 화웨이는 회로를 접는다: 스마트폰 칩 발열 전쟁의 정반대 해법 영상 대표 이미지

핵심 메시지

  • 삼성과 화웨이의 최근 움직임은 정반대처럼 보이지만, 모두 미세 공정만으로는 스마트폰 칩 성능을 끌어올리기 어렵다는 같은 한계에서 출발한다.
  • 삼성은 AP에서 냉각 장치까지 열이 빠져나가는 경로를 짧게 만드는 쪽이고, 화웨이의 로직 폴딩은 칩 내부 회로 사이 전기 신호가 이동하는 배선을 짧게 만드는 쪽이다.
  • 엑시노스 2400은 팬아웃 WLP, 2600은 구리 히트패스블록(HPB)을 실제로 적용했고, 엑시노스 2700에서 메모리를 더 떼어낸다는 이야기는 아직 단일 유출 기반 루머다.
  • 화웨이는 배선 길이 약 30% 감소, 최대 주파수 약 13%, 전력 효율 약 41% 개선을 주장하지만, 이는 대표 코어 하나에 대한 정식 심사 전 단계의 회사 측 수치다.
  • 스마트폰은 팬이 없어 표면 온도 제약이 크기 때문에, 트랜지스터 하나의 효율만이 아니라 AP에서 프레임 바깥까지 이어지는 전체 열 경로를 함께 설계해야 한다.

쉽게 이해하기

스마트폰의 중심 프로세서인 AP(SoC) 위에는 오랫동안 모바일 D램을 한 층 더 올리는 PoP(패키지 온 패키지) 방식이 쓰였다. 보드 면적을 아끼고 두 부품 사이 연결 거리를 짧게 유지할 수 있기 때문이다. 그러나 성능이 오르면서 이 구조가 발열에 불리해졌다. AP에서 생긴 열이 D램의 솔더볼·기판·몰딩제처럼 열을 잘 전달하지 못하는 재료를 차례로 통과해야 냉각 부품인 베이퍼 챔버에 닿기 때문이다.

온도 상승은 대략 소비 전력과 열 저항의 곱(ΔT ≈ P × Rθ)으로 볼 수 있다. 냉각 경로의 열 저항이 커지면 같은 전력에도 칩 온도가 빠르게 오르고, 일정 온도를 넘으면 AP는 스스로 전압과 클록을 낮추는 스로틀링에 들어간다. 그래서 순간 최고 성능보다, 게임이나 촬영처럼 부하가 이어질 때 성능을 몇 분간 유지하는지가 체감 성능을 좌우한다.

삼성은 단계적으로 구조를 바꿔 왔다. 엑시노스 2400에서 AP 접점을 바깥으로 펼치는 팬아웃 WLP를 자사 AP 최초로 적용했고, 엑시노스 2600에서는 D램 패키지 면적을 절반가량 줄여 발열이 큰 영역과 겹치지 않게 옮긴 뒤 그 자리에 구리로 만든 히트패스블록(HPB)을 넣었다. 구리는 절연·접착 소재보다 열 전도가 약 500~1000배 높아, 삼성은 패키지 전체 열 저항 기준 엑시노스 2500 대비 최대 16% 감소를 공식 수치로 제시했다.

화웨이는 전혀 다른 방향이다. AP 내부의 논리 회로 자체를 위아래 두 층으로 나누는 로직 폴딩을 택했다. 신호가 가장 늦게 도착하는 크리티컬 패스를 한 평면에 길게 늘어놓는 대신 위아래로 접어 짧게 잇는 것이다. 두 실리콘 층은 솔더 범프 없이 절연막과 구리 접점을 직접 붙이는 하이브리드 본딩으로 연결하는데, 이 기술은 TSMC도 SoIC라는 이름으로 제공하는 업계 공용 기술이다.

화웨이는 같은 트랜지스터 공정에서 배선 길이 약 30% 감소, 최대 주파수 약 13%, 전력 효율 약 41% 개선, 회로 밀도 1mm²당 약 1억 5,500만 개에서 2억 3,800만 개로 상승을 주장한다. 다만 하이브리드 본딩 피치 1.5μm는 1.5nm 공정이 아니며, 높아진 것은 위에서 본 면적 기준 밀도이지 개별 트랜지스터의 체급이 아니다. 실제 공정도 아직 공식 확인되지 않았다.

주요 인사이트

  • PoP, 팬아웃 WLP, HPB는 서로를 대체하는 기술이 아니다. PoP는 AP와 메모리를 어떻게 쌓느냐, 팬아웃 WLP는 AP 접점을 바깥으로 어떻게 연결하느냐, HPB는 그 위에 열을 빼는 길을 하나 더 놓느냐의 문제로 각각 다른 부분을 손본다.
  • 메모리를 옆으로 펼치면 냉각 표면과 지속 성능은 얻지만 패키지 면적이 커지고 신호 이동 거리와 휘어짐(워피지) 관리 부담이 늘어난다. 즉 수평 배치가 PoP보다 무조건 우월한 것이 아니라 보드 면적·전기 효율을 일부 양보한 선택이다.
  • 로직을 두 층으로 쌓으면 배선이 짧아져 소비 전력이 줄 수 있지만, 열이 나는 활성 층이 늘고 안쪽 층이 냉각면에서 멀어져 국부 전력 밀도와 핫스팟 관리가 어려워진다. 여러 층 중 하나만 결함이 나도 수율이 떨어지는 문제도 있다.
  • 애플은 2016년 아이폰7 A10부터 TSMC InFO PoP를 써 왔고 A20에서 WMCM 전환이 거론되며, 퀄컴 스냅드래곤 8 엘리트 젠5는 여전히 기판 기반 PoP를 유지한다. 다만 이런 차세대 계획 상당수는 아직 공식 확인이 아닌 보도·유출 단계다.

자주 묻는 질문

삼성과 화웨이의 접근은 무엇이 다른가?

삼성은 AP에서 냉각 장치까지 열이 이동하는 경로를 짧게 만들어 열을 빼내는 쪽이고, 화웨이의 로직 폴딩은 AP 내부에서 회로와 회로 사이 전기 신호가 이동하는 배선을 위아래로 접어 짧게 만드는 쪽이다. 한쪽은 적층을 줄이고 다른 쪽은 늘리지만, 둘 다 기존 부품 배치를 다시 설계한다는 점은 같다.

엑시노스 2700이 메모리를 떼어낸다는 이야기는 확정인가?

아니다. 영상은 이를 단일 유출에 기반한 신뢰도 절반 수준의 루머로 규정한다. 같은 보도 안에서도 D램을 같은 패키지 안에서 수평 배치하는지, 아예 별도 패키지로 분리하는지 표현이 섞여 나올 정도로 아직 명확하지 않다.

화웨이가 옛 공정으로 최신 미세 공정을 따라잡은 것인가?

그렇게 보기는 어렵다. 로직을 두 층으로 쌓으면 위에서 본 면적 기준 밀도는 높아지지만, 개별 트랜지스터의 스위칭 특성·누설 전류·공급 전압까지 최신 공정과 같아지는 것은 아니다. 화웨이 스스로도 크기가 아니라 밀도가 그 수준에 준한다는 밀도 등가 개념으로 설명한다.

스마트폰에서 이런 패키징이 특히 중요한 이유는?

스마트폰에는 팬이 없고 표면이 너무 뜨거우면 손에 들 수 없어, 서버나 데스크톱보다 훨씬 낮은 온도·전력 범위에서 작동해야 하기 때문이다. 여기에 온디바이스 생성형 AI, NPU, ISP, 고속 모뎀이 동시에 많은 데이터를 처리하며 발열 부담이 계속 커지고 있다.

원문과 출처

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